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电子元器件详细资料 » IC[21548] » IXTT6N120
型号:IXTT6N120类别:FET - 单制造商:IXYS
封装:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
系列-
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.6 欧姆 @ 3A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs56nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1950pF @ 25V
功率_最大300W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商设备封装TO-268
包装管件

供应商

昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市潮南大宇电子有限公司 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877
北京显周科技有限公司刘先生13910052844(微信同步)
深圳市三得电子有限公司销售部13509684848
上海熠富电子科技有限公司销售部15821228847 // 13764057178 // 15026993318
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